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Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects 会议论文
2005 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials丛书标题: CONFERENCE PROCEEDINGS - INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, Glasgow, SCOTLAND, MAY 08-12, 2005
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China.
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Encapsulated Czochralski Inp  Semiconductor Compound-crystals  Stimulated Current Spectroscopy  Current Transient Spectroscopy  Deep-level Defects  Annealing Ambient  Point-defects  Fe  Phosphide  Donors  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Li, JM;  Ling, LY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  侯识华;  赵鼎;  孙永伟;  徐云;  谭满清;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  侯识华;  赵鼎;  叶晓军;  孙永伟;  谭满清;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  苏艳梅;  种明;  张艳冰;  胡小燕;  孙永伟;  赵伟;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  侯识华;  赵鼎;  孙永伟;  苏艳梅;  谭满清;  陈良惠
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