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| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉
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| 用于波长转换的半导体光学放大器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张瑞英; 王圩; 简永生
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| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波 ; 金鹏; 刘峰奇; 王占国
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| GaAs 基1.3-1.55μm GaInNAs(Sb)量子阱及激光器、探测器的分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者: 张石勇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Gan Y (Gan Yu); Xiang WH (Xiang Wang-Hua); Zhou XF (Zhou Xiao-Fang); Zhang GZ (Zhang Gui-Zhong); Zhang B (Zhang Bing); Wang YG (Wang Yong-Gang); Ma XY (Ma Xiao-Yu); Gan, Y, Tianjin Univ, Key Lab Optoelect Informat & Tech Sci, Minist Educ, Tianjin 300072, Peoples R China. E-mail: rainmangy@yahoo.com.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tan PH (Tan P. H.); Luo XD (Luo X. D.); Xu ZY (Xu Z. Y.); Zhang Y (Zhang Y.); Mascarenhas A (Mascarenhas A.); Xin HP (Xin H. P.); Tu CW (Tu C. W.); Ge WK (Ge W. K.); Tan, PH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pinghengtan@hotmail.com; yong_zhang@nrel.gov
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周燕; 金伟其; 张建勇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张冠杰; 徐波; 陈涌海; 姚江宏; 林耀望; 舒永春; 皮彪; 邢晓东; 刘如彬; 舒强; 王占国; 许京军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张冠杰; 陈涌海; 姚江宏; 舒强; 刘如彬; 舒永春; 王占国; 许京军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 姜其畅; 卓壮; 王勇刚; 李健; 苏艳丽; 马骁宇; 张志刚; 王清月
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