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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [16]
作者
韩伟华 [1]
许兴胜 [1]
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张杨 [1]
王圩 [1]
文献类型
期刊论文 [14]
专利 [2]
发表日期
2006 [16]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
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发表日期:2006
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宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李宝霞
;
张靖
;
赵玲娟
;
王圩
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提交时间:2009/06/11
选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
朱洪亮
;
李宝霞
;
张靖
;
王圩
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
Xia JB (Xia J. B.)
;
Zhanga XW (Zhang X. W.)
;
Xia, JB, CCAST, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhxw99@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Li SS (Li S. S.)
;
Xia JB (Xia J. B.)
;
Zhang, XW, China Ctr Adv Sci & Technol, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhxw99@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Zhu YH (Zhu Y. H.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Xia JB (Xia J. B.)
;
Zhu, YH, Chinese Ctr Adv Sci & Technol, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhuyh@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Xia JB (Xia J. B.)
;
Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhxw99@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Zhu YH (Zhu Y. H.)
;
Xia JB (Xia J. B.)
;
Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhxw99@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Zhang XW
;
Xia JB
;
Zhang, XW, Chinese Ctr Adv Sci & Technol, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China.
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Xia JB (Xia J. B.)
;
Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Zhang XW
;
Zhu YH
;
Xia JB
;
Zhang, XW, Chinese Ctr Adv Sci & Technol, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China.
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提交时间:2010/04/11