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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, GQ;  Zou, Q;  Sun, P;  Mei, X;  Ruda, HE;  Zou, Q, Energenius Inc, 351 Steelcase Rd W 3, Markham, ON, Canada. 电子邮箱地址: qzou@energenius.com
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Growth and characterization of 4H-SiC by horizontal hot-wall CVD 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Sun, GS;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Chemical-vapor-deposition  
Molecular beam epitaxial growth of GaN on 3c-SiC/Si(111) substrates using a thick AIN buffer layer 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Gao, X;  Li, JM;  Sun, GS;  Zhang, NH;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Gao, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Si(111)  Aln  
Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Sun, GS;  Ning, J;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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4h-sic  Lpcvd Homoepitaxial Growth  Thermal Oxidization  Mos Structures  Hot-wall Cvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, GS;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  鲍振武;  张晓帆;  陈弘达;  孙增辉;  许兴胜
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张思霞;  孙佳胤;  易万兵;  陈静;  金波;  陈猛;  张正选;  张国强;  王曦
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙建伟;  张胜利;  王幼林;  谢亮;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  叶晓军;  朱晓鹏;  徐云;  孙永伟;  侯识华;  种明;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓薇;  方高瞻;  马晓宇;  冯小明;  孙海东;  刘媛媛;  刘斌;  肖建伟
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