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CMOS结构的硅基发光器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-07-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  孙增辉;  毛陆虹;  唐君;  高鹏;  崔增文
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun ZZ;  Yoon SF;  Wu J;  Wang ZG;  Yoon, SF, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Nanyang Ave, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: esfyoon@ntu.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, J;  Hu, LZ;  Sun, YC;  Wang, ZY;  Zhang, HZ;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: albertjefferson@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Sun YC;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: albertjefferson@sohu.com
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Micro-fabricated Al0.3Ga0.7As pyramids for potential SPM applications 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Sun, J;  Hu, LZ;  Sun, YC;  Wang, ZY;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, Beijing 100083, Peoples R China.
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Growth  
10 Gb/s 光模块的设计与测试 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  孙建伟
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Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Sun, GS;  Ning, J;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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4h-sic  Lpcvd Homoepitaxial Growth  Thermal Oxidization  Mos Structures  Hot-wall Cvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, J;  Jin, P;  Wang, ZG;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: albertjefferson@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张胜利;  孙建伟;  刘宇;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  崔增文;  韩建忠;  何山虎;  陈弘达;  孙增辉;  高鹏;  周毅
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