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制造半导体双极器件的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐嘉东;  李建明;  张秀兰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, DB;  Dong, X;  Huang, J;  Liu, X;  Xu, Z;  Zhang, Z;  Wang, Z;  Li, DB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dbli@red.semi.ac.cn
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宽禁带II-VI 族半导体光学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  杨旭东
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王守觉;  徐春燕;  潘晓霞;  安冬;  陈旭;  曹文明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王守觉;  潘晓霞;  徐春燕;  陈旭;  安冬;  曹文明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗向东;  徐仲英;  谭平恒;  GE Wei-Kun
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗向东;  孙炳华;  徐仲英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨旭东;  徐仲英;  罗向东;  方再历;  李国华;  苏荫强;  葛惟昆
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