中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR
（本次检索基于用户作品认领结果）

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助

限定条件            
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王立彬;  伊晓燕;  刘志强;  陈宇;  郭德博;  王良臣
Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1522/265  |  提交时间：2009/06/11
采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王良臣;  伊晓燕;  刘志强
Adobe PDF(698Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1188/171  |  提交时间：2009/06/11
一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081093.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  樊晶美;  王良臣;  刘志强
Adobe PDF(609Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1234/198  |  提交时间：2011/08/31