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绿光LED芯片外延层的结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  刘炜;  赵德刚;  陈平;  刘宗顺;  朱建军;  江德生
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高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:  刘炜;  赵德刚;  陈平;  刘宗顺;  江德生
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基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  刘炜;  赵德刚;  陈平;  刘宗顺;  朱建军;  江德生
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绿光LED外延层结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  刘炜;  赵德刚;  陈平;  刘宗顺;  朱建军;  江德生
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InGaN量子点的外延结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  刘炜;  赵德刚;  陈平;  刘宗顺;  朱建军;  江德生
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