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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平 ; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 制备有序Al纳米颗粒的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910082081.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 游经碧; 张兴旺; 高云; 董敬敬; 陈诺夫
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| 图案化纳米模板及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010520234.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 董敬敬; 张兴旺; 尹志岗; 谭海仁; 高云; 张曙光; 白一鸣
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| 锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237094.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张伟; 王利军; 刘俊岐; 李路; 张全德; 陆全勇; 高瑜; 刘峰奇; 王占国
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| 一种制备氧化锌纳米材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237099.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 董敬敬; 张兴旺; 游经碧; 高云
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| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102097106A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 高云; 张兴旺; 尹志岗; 屈盛; 高红丽
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| 在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 陈涌海; 刘建庆; 高云; 徐波; 张兴旺; 王占国
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