中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1521/233  |  提交时间：2009/06/11
一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  王军喜;  王翠梅;  曾一平
Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1366/197  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  周文政;  林铁;  商丽燕;  黄志明;  崔利杰;  李东临;  高宏玲;  曾一平;  郭少令;  桂永胜;  褚君浩
Adobe PDF(382Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1144/355  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨春雷;  王建农;  葛惟锟;  崔利杰;  曾一平
Adobe PDF(332Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1208/454  |  提交时间：2010/11/23