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一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  陆沅;  王晓晖
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量子阱子带间跃迁及相关物理特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  李杰民
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