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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
纳米光电子实验室 [21]
作者
张艳华 [1]
文献类型
专利 [20]
期刊论文 [1]
发表日期
2010 [1]
语种
中文 [10]
英语 [1]
出处
APPLIED PH... [1]
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SCI [1]
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SEMI OpenIR
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专题:纳米光电子实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huo YH (Huo Y. H.)
;
Ma WQ (Ma W. Q.)
;
Zhang YH (Zhang Y. H.)
;
Chen LH (Chen L. H.)
;
Shi YL (Shi Y. L.)
;
Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: wqma@semi.ac.cn
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浏览/下载:1145/344
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提交时间:2010/09/07
两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081985.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
霍永恒
;
马文全
;
种明
;
张艳华
;
陈良惠
Adobe PDF(635Kb)
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浏览/下载:1367/207
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提交时间:2011/08/31
基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196135.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
马绍栋
;
郑婉华
;
陈微
;
周文君
;
刘安金
;
彭红玲
Adobe PDF(360Kb)
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浏览/下载:1395/271
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提交时间:2011/08/31
电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081984.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:
霍永恒
;
马文全
;
种明
;
张艳华
;
陈良惠
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浏览/下载:1221/140
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提交时间:2011/08/31
基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102163638A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
马绍栋
;
付非亚
;
王宇飞
;
王海玲
;
彭红玲
;
郑婉华
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浏览/下载:1115/262
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提交时间:2012/09/09
一种铁电晶体材料的极化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102122105A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
范学东
;
马传龙
;
王海玲
;
王宇飞
;
马绍栋
;
郑婉华
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浏览/下载:1373/308
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提交时间:2012/09/09
一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102110595A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑婉华
;
彭红玲
;
渠宏伟
;
马绍栋
Adobe PDF(1058Kb)
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浏览/下载:1400/287
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提交时间:2012/09/09
一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102110594A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
彭红玲
;
郑婉华
;
石岩
;
马绍栋
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浏览/下载:1325/277
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提交时间:2012/09/09
一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102321920A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑婉华
;
马传龙
;
范学东
;
渠红伟
;
彭红玲
;
王海玲
;
马绍栋
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浏览/下载:1209/324
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提交时间:2012/09/09
一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102436114A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑婉华
;
范学东
;
马传龙
;
马绍栋
;
齐爱谊
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浏览/下载:1187/304
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提交时间:2012/09/09