SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共8条,第1-8条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
一种强磁场的霍尔效应测试装置及其测试方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张攀峰;  吴洁君;  胡卫国;  刘祥林
Adobe PDF(562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1409/201  |  提交时间:2009/06/11
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1253/193  |  提交时间:2009/06/11
改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1198/179  |  提交时间:2009/06/11
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(830Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:975/142  |  提交时间:2009/06/11
提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠梅;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
Adobe PDF(656Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1007/153  |  提交时间:2009/06/11
紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  夏君磊;  吴远大;  安俊明;  郜定山;  李健;  龚春娟;  胡雄伟
Adobe PDF(446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1322/146  |  提交时间:2009/06/11
铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  王翠梅;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(411Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:973/183  |  提交时间:2009/06/11
一种用于实现光波导器件耦合封装的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李健;  安俊明;  胡雄伟;  李建光;  王红杰
Adobe PDF(432Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:991/140  |  提交时间:2009/06/11