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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [8]
中科院半导体材料科学... [2]
作者
金鹏 [10]
徐波 [4]
叶小玲 [2]
孔金霞 [1]
文献类型
专利 [6]
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [1]
2008 [3]
2007 [1]
2006 [3]
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作者:金鹏
第一作者
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20
25
30
35
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45
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60
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
肖虎
;
孟宪权
;
朱振华
;
金鹏
;
刘峰奇
;
王占国
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浏览/下载:1225/119
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提交时间:2011/08/16
在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
金鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王智杰
;
王占国
Adobe PDF(527Kb)
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收藏
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浏览/下载:1560/236
  |  
提交时间:2009/06/11
砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵超
;
徐波
;
陈涌海
;
金鹏
;
王占国
Adobe PDF(520Kb)
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收藏
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浏览/下载:1298/225
  |  
提交时间:2009/06/11
一种量子点材料结构及其生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
焦玉恒
;
吴巨
;
徐波
;
金鹏
;
王占国
Adobe PDF(710Kb)
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浏览/下载:1271/191
  |  
提交时间:2009/06/11
以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王元立
;
吴巨
;
金鹏
;
叶小玲
;
张春玲
;
黄秀颀
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(409Kb)
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浏览/下载:1497/181
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提交时间:2009/06/11
在解理面上制作半导体纳米结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈涌海
;
张春玲
;
崔草香
;
徐波
;
金鹏
;
刘峰奇
;
王占国
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浏览/下载:1208/186
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang FZ
;
Chen ZH
;
Sun J
;
Bai LH
;
Huang SH
;
Xiong H
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Shen SC
;
Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. E-mail: zhanghai@fudan.edu.cn
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浏览/下载:976/286
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提交时间:2010/04/11
Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots
会议论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 01-05, 2005
作者:
Wang FZ
;
Chen ZH
;
Sun J
;
Bai LH
;
Huang SH
;
Xiong H
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Shen SC
;
Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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浏览/下载:1673/293
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提交时间:2010/03/29
Quantum Dots
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang FZ
;
Chen ZH
;
Bai LH
;
Huang SH
;
Xiong H
;
Shen SC
;
Sun J
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Wang, FZ, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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浏览/下载:1257/287
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提交时间:2010/03/17
光伏型InAs量子点红外探测器结构
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
唐光华
;
徐波
;
叶小玲
;
金鹏
;
刘峰奇
;
陈涌海
;
王占国
;
姜立稳
;
孔金霞
;
孔宁
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浏览/下载:1572/255
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提交时间:2011/08/31