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锑化铟的掺杂与异质结构的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  董海云
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AlN厚膜单晶材料HVPE制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  韩东岳
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Aln  Hvpe  应力  流场  
GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  陶东言
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稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, J. J.;  Zhang, X. W.;  Zhang, S. G.;  Tan, H. R.;  Yin, Z. G.;  Gao, Y.;  Wang, J. X.
Adobe PDF(4122Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：490/101  |  提交时间：2013/10/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, J. J.;  Zhang, X. W.;  Zhang, S. G.;  Tan, H. R.;  Yin, Z. G.;  Gao, Y.
Adobe PDF(4122Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：583/171  |  提交时间：2013/10/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong JJ, Zhang XW, Zhang SG, Tan HR, Yin ZG, Gao Y, Wang JX.
Adobe PDF(4122Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：331/67  |  提交时间：2014/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong JJ (Dong J. J.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  Zhang SG (Zhang S. G.);  Wang JX (Wang J. X.);  Tan HR (Tan H. R.);  Gao Y (Gao Y.);  Si FT (Si F. T.);  Gao HL (Gao H. L.)
Adobe PDF(1282Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1212/434  |  提交时间：2012/02/21
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SG (Zhang S. G.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  Wang JX (Wang J. X.);  Dong JJ (Dong J. J.);  Gao HL (Gao H. L.);  Si FT (Si F. T.);  Sun SS (Sun S. S.);  Tao Y (Tao Y.)
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增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  尹志岗;  张曙光;  张兴旺;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
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增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张兴旺;  张曙光;  尹志岗;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
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