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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang CP;  Huang ZM;  Li ZF;  Yu J;  Guo SL;  Lu W;  Chu JH;  Cui LJ;  Zeng YP;  Zhu ZP;  Wang BQ;  Jiang CP,Chinese Acad Sci,Shanghai Inst Tech Phys,Natl Lab Infrared Phys,Shanghai 200083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Kong MY;  Pan L;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Gao F;  Lin YX;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
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Annealing  Molecular Beam Epitaxy  Germanium Silicon Alloys  Semiconducting Materials  Strain Relaxation  
High-quality GaN grown by gas-source MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Wang JX;  Sun DZ;  Wang XL;  Li JM;  Zeng YP;  Hou X;  Lin LY;  Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Characterization  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Nitrides  Piezoelectric Materials  Semiconducting Gallium Compounds  Molecular-beam Epitaxy  Heterostructures  Sapphire  Diodes  
High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Zeng YP;  Cao X;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan L;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy  High Electron Mobility Transistors  Density  
Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy  Mobility  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Wang XG;  Chang Y;  Chu JH;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang CP;  Huang ZM;  Guo SL;  Chu JH;  Cui LJ;  Zeng YP;  Zhu ZP;  Wang BQ;  Jiang CP,Chinese Acad Sci,Shanghai Inst Tech Phys,Natl Lab Infrared Phys,Shanghai 200083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Huang CJ;  Huang DD;  Li JP;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F,Shaanxi Normal Univ,Dept Phys,Xian 710062,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhuang QD;  Yoon SF;  Li HX;  Li JM;  Zeng YP;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD,Nanyang Technol Univ,Sch Elect & Elect Engn BLK S1,Nanyang Ave,Singapore 639798,Singapore.
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