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用于电吸收调制激光器封装用的热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  侯广辉;  刘宇;  祝宁华
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Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Wang, N;  Li, N;  Liu, ZL;  Yu, F;  Li, GH;  Wang, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Soi  Mosfet  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  肖雪芳;  杨国华;  归强;  王国宏;  马晓宇;  陈朝;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李欢;  牛萍娟;  杨广华;  李俊一;  张宇;  常旭;  张秀乐
Adobe PDF(655Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1435/641  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, NH (Zhu, Ning Hua);  Hou, GH (Hou, Guang Hui);  Huang, HP (Huang, Heng Pei);  Xu, GZ (Xu, Gui Zhi);  Zhang, T (Zhang, Tao);  Liu, Y (Liu, Yu);  Zhu, HL (Zhu, Hong Liang);  Zhao, LJ (Zhao, Ling Juan);  Wang, W (Wang, Wei);  Zhu, NH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nhzhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  侯广辉;  温继敏;  黄亨沛;  王欣;  刘宇;  谢亮;  祝宁华
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一种新型键合用晶向对准装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈良惠;  郑婉华;  杨国华;  何国荣;  王玉平;  曹青;  郭良;  林学春
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一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈良惠;  郑婉华;  杨国华;  何国荣;  王玉平;  曹青;  郭良;  林学春
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铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  林涛;  江李;  陈芳;  刘素平;  潭满清;  王国宏;  韦欣;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song YP;  Wang PW;  Xu XY;  Wang Z;  Li GH;  Yu DP;  Yu, DP, Peking Univ, Dept Phys, Natl Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: ypsong@pku.edu.cn;  yudp@pku.edu.cn
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