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1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  封松林;  杨富华;  王晓东;  汪辉;  李树英;  苗振华;  李树深
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  An L;  Tang Y;  Zheng HZ;  Zhang JD;  Tan PH;  Yang FH;  Ji Y;  Chen YZ;  Zheng HZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu SQ;  Rau EI;  Yang FH;  Zheng HZ;  Zhu SQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li SS;  Abliz A;  Yang FH;  Niu ZC;  Feng SL;  Xia JB;  Hirose K;  Li SS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng J;  Hu B;  Hu CY;  Bian SB;  Yang FH;  Zheng HZ;  Peng J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SB;  Liao XB;  An L;  Yang FH;  Kong GL;  Wang YQ;  Xu YY;  Chen CY;  Diao HW;  Zhang SB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cen LX;  Wu NJ;  Yang FH;  An JH;  Cen LX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,NLSM,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(79Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：869/199  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JD;  Zhang H;  Chen JH;  Deng YM;  Hu CY;  An L;  Yang FH;  Li GH;  Zheng HZ;  Zhang JD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(136Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：916/304  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo LW;  Han YJ;  Hu CY;  Tan PH;  Yang FH;  Huang Q;  Zhou JM;  Guo LW,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Ctr Condensed Matter Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  彭进;  胡冰;  胡承勇;  卞松保;  杨富华;  郑厚植
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