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Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Wang QY;  Tan LW;  Wang J;  Yu YH;  Lin LY;  Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Tan LW;  Wang J;  Wang QY;  Yu YH;  Lin LY;  Tan LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Epitaxial-growth  Al2o3  Si  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang QY;  Tan LW;  Wang J;  Yu YH;  Lin LY;  Wang QY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Zhang YH;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan LW;  Wang J;  Wang QY;  Yu YH;  Lin LY;  Tan LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Dong HW;  Chen YH;  Zhang YH;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Fung S;  Zhao YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan LW;  Zan YD;  Wang J;  Wang QY;  Yu YH;  Wang SR;  Liu ZL;  Lin LY;  Tan LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semiconductor Mat Lab,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王启元;  林兰英;  王建华;  邓惠芳;  谭利文;  王俊;  蔡田海;  郁元桓
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  谭利文;  王俊;  王启元;  郁元桓;  刘忠立;  邓惠芳;  王建华;  林兰英
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