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带输出波导的正方形微腔激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵伟;  黄永箴
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一种组合式聚光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  崔敏;  王彦硕;  白一鸣;  吴金良;  黄添懋
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聚光太阳电池单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  黄添懋;  王晓晖;  陈晨龙;  吴金良;  董毅
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基于TM模激射的圆柱形结构的微盘激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨跃德;  黄永箴;  罗贤树;  陈沁
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, D;  Wang, H;  Wu, B;  Ni, H;  Huang, S;  Xiong, Y;  Wang, P;  Han, Q;  Niu, Z;  Tangring, I;  Wang, SM;  Wu, D, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu SQ;  Cao Y;  Johnson SR;  Zhang YH;  Huang YZ;  Yu, SQ, Arizona State Univ, Ctr Solid State Elect Res, Tempe, AZ 85287 USA. 电子邮箱地址: yushq@asu.edu
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Characteristics of triangle and square InP/InGaAsP microlasers 会议论文
ICTON 2008: PROCEEDINGS OF 2008 10TH ANNIVERSARY INTERNATIONAL CONFERENCE ON TRANSPARENT OPTICAL NETWORKS, Athens, GREECE, JUN 22-26, 2008
作者:  Huang YZ;  Wang SJ;  Che KJ;  Hu YH;  Du Y;  Yu LJ;  Huang, YZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Semiconductor Lasers  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang YZ;  Che KJ;  Yang YD;  Wang SJ;  Du Y;  Fan ZC;  Huang, YZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dou XM;  Chang XY;  Sun BQ;  Xiong YH;  Niu ZC;  Huang SS;  Ni HQ;  Du Y;  Xia JB;  Dou, XM, CAS, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄燕华;  陈松岩;  李成;  蔡加法;  余金中
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