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带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang, ZL;  Su, FH;  Ma, BS;  Ding, K;  Han, HX;  Li, GH;  Sou, IK;  Ge, WK;  Fang, ZL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang JS;  Chen Z;  Luo XD;  Xu ZY;  Ge WK;  Huang, JS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu, LW;  Sou, IK;  Ge, WK;  Lu, LW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lwlu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, JS;  Luo, XD;  Yang, XD;  Sun, Z;  Sun, BQ;  Xu, ZY;  Ge, WK;  Huang, JS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zyxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  方再利;  苏付海;  马宝珊;  丁琨;  韩和相;  李国华;  苏萌强;  葛惟锟
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