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| 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 封松林; 杨富华; 王晓东; 汪辉; 李树英; 苗振华; 李树深
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li SS; Abliz A; Yang FH; Niu ZC; Feng SL; Xia JB; Hirose K; Li SS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Pan LX; Li SS; Liu JL; Niu ZC; Feng SL; Zheng HZ; Li SS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chang K; Xia JB; Wu HB; Feng SL; Peeters FM; Chang K,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,NLSM,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 金光生; 艾合买提·阿不力孜; 李树深; 牛智川 ; 杨富华; 封松林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 潘留仙; 刘金龙; 李树深; 牛智川; 封松林; s郑厚植
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孔云川; 周大勇; 澜清; 刘金龙; 苗振华; 封松林; 牛智川
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 澜清; 周大勇; 孔云川; 边历峰; 苗振华; 牛智川; 封松林
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