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一种生长可控量子点和量子环的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 4011
发明人:  赵 暕;  陈涌海;  王占国;  徐 波
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在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  高福宝;  陈诺夫;  吴金良;  刘 磊 
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一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-06, 公开日期: 3993
发明人:  陈志刚;  张 杨;  杨富华 
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单光路量子效率测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  刘 磊;  陈诺夫;  曾湘波;  张 汉;  吴金良;  高福宝
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采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  伊晓燕;  王良臣;  王国宏;  李晋闽
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光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李晋闽;  王晓东;  王国宏;  王良臣;  杨富华
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双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑婉华;  王科;  任刚;  杜晓宇;  邢名欣;  陈良惠
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III-V族低维半导体材料偏振相关的光学性质 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  汤晨光
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen W;  Xing MX;  Ren G;  Wang K;  Du XY;  Zhang YJ;  Zheng WH;  Zheng WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Y;  Hu H;  Zhuang W;  Song G;  Li Y;  Chen L;  Xu Y Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xuyun@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(136Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1064/348  |  提交时间:2010/03/08