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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin ZG;  Chen NF;  Li Y;  Zhang XW;  Bai YM;  Chai CL;  Xie YN;  Zhang J;  Yin, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhg@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HY;  Yan, FW;  Zhang, Y;  Li, JM;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XW;  Xu, Q;  Fan, WJ;  Luo, JW;  Li, SS;  Xia, JB;  Zhang, XW, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: zhxw99@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Yang, CB;  Ran, JX;  Wang, CM;  Hou, QF;  Li, JM;  Wang, ZG;  Zhang, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xbzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, Q;  Zhang, XW;  Fan, WJ;  Li, SS;  Xia, JB;  Fan, WJ, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Nanyang Ave, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: ewjfan@ntu.edu.sg
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Design and Realization of Index-Coupled DFB Laser with Sampled Grating 会议论文
2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), Singapore, SINGAPORE, DEC 08-11, 2008
作者:  Wang H;  Zhu HL;  Chen XF;  Li JS;  Wang LS;  Zhang W;  Wang W;  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Tuning Range  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, CB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Zhang, XB;  Hua, GX;  Ran, JX;  Wang, CM;  Li, JP;  Li, JM;  Wang, ZG;  Yang, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Jia 35,Qinghua Dong Rd,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XW;  Fan, WJ;  Li, SS;  Xia, JB;  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhxw99@semi.ac.cn;  ewjfan@ntu.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, LL;  Yan, FW;  Gao, HY;  Zhang, HX;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Li, JM;  Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lilisun@semi.ac.cn
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AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Tang J;  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Ran JX;  Zhang ML;  Hu GX;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Li JM;  Wang ZG;  Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Algan/gan Hemts