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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang L(张磊);  Ji RQ(冀瑞强);  Tian YH(田永辉);  Yang L(杨林);  Zhou P(周平);  Lu YY(卢洋洋);  Zhu WW(朱巍巍);  Liu YL(刘育梁);  Jia LX(贾连希);  Fang Q(方青);  Yu MB(余明斌)
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Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Chen YH;  Tang CH;  Xu B;  Jin P;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(2531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1352/187  |  提交时间：2010/03/09
Inas