中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YQ;  Liao XB;  Diao HW;  Zhang SB;  Xu YY;  Chen CY;  Chen WD;  Kong GL;  Wang YQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(256Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：904/220  |  提交时间：2010/08/12
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Gao F;  Lin YX;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
Adobe PDF(96Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1739/419  |  提交时间：2010/11/15
Annealing  Molecular Beam Epitaxy  Germanium Silicon Alloys  Semiconducting Materials  Strain Relaxation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LS;  Fong WK;  Surya C;  Cheah KW;  Zheng WH;  Wang ZG;  Surya C,Hong Kong Polytech Univ,Dept Elect & Informat Engn,Yuk Choi Rd,Hund Hom,Kowloon,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(102Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1083/435  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YQ;  Chen CY;  Chen WD;  Yang FH;  Diao HW;  Wang YQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：903/269  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Lin YX;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F,Chinese Acad Sci,Ctr Mat Sci,Inst Semicond,Beijing 10083,Peoples R China.
Adobe PDF(96Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1204/300  |  提交时间：2010/08/12
The SPER and characteristics of Si1-yCy alloys 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Yu Z;  Yu JZ;  Cheng BW;  Lei ZL;  Li DZ;  Wang QM;  Liang JW;  Yu Z Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(211Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1278/206  |  提交时间：2010/10/29
Si1-ycy Alloys  Ion implantatIon  Solid Phase Epitaxy Recrystallization  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YQ;  Liao XB;  Ma ZX;  Yue GZ;  Diao HW;  He J;  Kong GL;  Zhao YW;  Li ZM;  Yun F;  Wang YQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Solid State Phys Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(74Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1323/645  |  提交时间：2010/08/12