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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li MC;  Qiu YX;  Liu GJ;  Wang YT;  Zhang BS;  Zhao LC;  Li MC Harbin Inst Technol Sch Mat Sci & Engn POB 405 Harbin 150001 Peoples R China. E-mail Address: mcli@hit.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang L;  Motohisa J;  Fukui T;  Jia LX;  Zhang L;  Geng MM;  Chen P;  Liu YL;  Yang L Chinese Acad Sci Inst Semicond Optoelect Syst Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李文生;  孙宝权
Adobe PDF(298Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：736/226  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui Min;  Chen Nuofu;  Yang Xiaoli;  Wang Yu;  Bai Yining;  Zhang Xingwang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李文生;  孙宝权
Adobe PDF(658Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：848/257  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H;  Wang LL;  Sun X;  Zhu JH;  Liu WB;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wangh@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chang XY;  Dou XM;  Sun BQ;  Xiong YH;  Niu ZC;  Ni HQ;  Jiang DS;  Chang, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: bqsun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, L;  Motohisa, J;  Tomioka, K;  Takeda, J;  Fukui, T;  Geng, MM;  Jia, LX;  Zhang, L;  Liu, YL;  Yang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Optoelect Syst, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1412/446  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HL;  Zeng, YP;  Wang, BQ;  Zhu, ZP;  Wang, ZG;  Gao, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hlgao@semi.ac.cn
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Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy 会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:  Liang, LY;  Ye, XL;  Jin, P;  Chen, YH;  Wang, ZG;  Liang, LY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Induced Refractive-index  Growth  Lasers  Gaas