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阵列硅基调制器高频电学封装设计 学位论文
工程硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  杨国亮
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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  刘炜
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Ingan  量子阱  薄膜  极化效应  局域态  本底载流子浓度  
硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  何超
Adobe PDF(7728Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:834/54  |  提交时间:2016/06/02
Si 基发光器件  Ge/si 量子点  Ge/sige 量子阱  Ge 薄膜  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王启明
Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1739/417  |  提交时间:2011/08/16