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一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240933.2, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  谈笑天;  郑厚植
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一种高极化度自旋注入与检测结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136535A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-07-27, 2012-08-29
发明人:  袁思芃
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双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  邢军亮;  张宇;  王国伟;  王娟;  王丽娟;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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