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800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王勇刚;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  An JM;  Li J;  Xia JL;  Gao DS;  Wu YD;  Li JG;  Wang HJ;  Hu XW;  An, JM, Inner Mongolian Univ, Dept Phys, Hohhot 010021, Peoples R China. 电子邮箱地址: junming@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang NH;  Wang XL;  Zeng YP;  Xiao HL;  Wang JX;  Liu HX;  Li JM;  Zhang, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: znhong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou LP;  Zhu HL;  Zhou F;  Wang LF;  Bian J;  Wang W;  Hou, LP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: houlp@red.semi.ac.cn;  zhuhl@red.semi.ac.cn;  zhoufan@red.semi.ac.cn;  lfwang@red.semi.ac.cn;  jbian@red.semi.ac.cn;  wwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG;  Ma XY;  Fan YX;  Wang HT;  Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chinawygxjw@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang NH;  Wang XL;  Zeng YP;  Xiao HL;  Wang JX;  Liu HX;  Li JM;  Zhang, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: znhong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CB;  Zuo YH;  Cheng BW;  Mao RW;  Zhao L;  Shi WH;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Li, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbli@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JQ;  Liu FQ;  Lu XZ;  Guo Y;  Wang ZG;  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: fqliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Su FH;  Ma BS;  Ding K;  Li GH;  Chen W;  Su, FH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu HJ;  Yu JZ;  Yu, HJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: Yhjun@red.semi.ac.cn
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