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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao FB;  Chen NF;  Zhang XW;  Wang Y;  Liu L;  Yin ZG;  Wu JL;  Gao, FB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fbgao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Islam MR;  Chen NF;  Yamada M;  Islam, MR, Khulna Univ Engn & Technol, Dept Elect & Elect Engn, Khulna 9203, Bangladesh. 电子邮箱地址: mri@eee.kuet.ac.bd
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li J;  Chang K;  Hai GQ;  Chan KS;  Chang, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: kchang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu SQ;  Cao Y;  Johnson SR;  Zhang YH;  Huang YZ;  Yu, SQ, Arizona State Univ, Ctr Solid State Elect Res, Tempe, AZ 85287 USA. 电子邮箱地址: yushq@asu.edu
Adobe PDF(110Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：891/274  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, ZQ;  Xu, YQ;  Hao, RT;  Tang, B;  Ren, ZW;  Niu, ZC;  Xu, YQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yingqxu@semi.ac.cn
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Growth of GaSb and GaInAsSb layers for thermophotovolatic cells by liquid phase epitaxy - art. no. 68411E 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Liu L;  Chen NF;  Gao FB;  Yin ZG;  Bai YM;  Zhang XW;  Liu, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Thermophotovoltaic Cell  
GaSb基热光伏电池的制备及多结光电池热稳定性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  刘磊
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GaAs 基InAs/GaSb II 型超晶格红外探测材料与器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  郝瑞亭
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红外探测材料InAsSb/GaSb的LPE生长和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  高福宝
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王柱;  柯君玉;  李辉;  庞锦标;  戴益群;  赵有文
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