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磷化铟中与非化学配比有关的缺陷的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  董志远
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非掺杂磷化铟（InP）的高温退火研究— 半绝缘材料的点缺陷、制备、性质、应用对比 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
作者:  董宏伟
Adobe PDF(3065Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：905/23  |  提交时间：2009/04/13