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| 硅基选区外延III-V族材料及激光器研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 杨正霞
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| 基于带电氧空位漂移的HfO2基薄膜负电容机理 学位论文
工程硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 董昊
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| 硅基InGaAsInGaAsP多量子阱外延技术及硅基激光器的探索研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 杨文宇
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 孟芳媛
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 李利安
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| 硅基III-V族多量子阱激光器的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 李亚节
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| 锑化铟的掺杂与异质结构的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 董海云
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| 二维过渡金属硫族化合物的制备及光电性能研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 王登贵
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 于天
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| III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
作者: 季祥海
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Iii-v族半导体纳米线 异质结纳米线 自催化生长机制 金属有机化学气相沉积 |
