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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [7]
作者
江德生 [3]
韩伟华 [1]
汪洋 [1]
杨香 [1]
陈晶晶 [1]
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会议论文 [7]
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2008 [1]
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2002 [1]
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文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Monostable-Bistable Transition Logic Element (MOBILE) Model for Single-Electron Transistors
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Wang Y
;
Han WH
;
Yang X
;
Chen JJ
;
Yang FH
;
Wang, Y, Chinese Acad Sci, Res Ctr Semicond Integrated Technol, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Devices
Nanostructure in the p-layer and its impacts on amorphous silicon solar cells
会议论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, Lisbon, PORTUGAL, SEP 04-09, 2005
作者:
Liao, XB (Liao, Xianbo)
;
Du, WH (Du, Wenhui)
;
Yang, XS (Yang, Xiesen)
;
Povolny, H (Povolny, Henry)
;
Xiang, XB (Xiang, Xianbi)
;
Deng, XM (Deng, Xunming)
;
Sun, K (Sun, Kai)
;
Liao, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xbliao2003@yahoo.com
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提交时间:2010/03/29
Amorphous Semiconductors
The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, PROCEEDINGS, AACHEN, GERMANY, JUL 22-25, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Sun BQ
;
Bian L
;
Li LH
;
Pan Z
;
Wu RG
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Luminescence
Localization
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Impurities
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Semiconducting Iii-v Materials
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Defects
Heterostructure
Semiconductors
Stress
Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Sun BQ
;
Jiang DS
;
Pan Z
;
Li LH
;
Wu RH
;
Sun BQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Semiconducting Iiiv Materials
Luminescence
Gaasn
Characterization of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonides
会议论文
DEFECT RECOGNITION AND IMAGE PROCESSING IN SEMICONDUCTORS 1997, 160, TEMPLIN, GERMANY, SEP 07-10, 1997
作者:
Peng RW
;
Ding YQ
;
Xu CM
;
Wang XG
;
Peng RW Acad Sinica Shanghai Inst Met Shanghai 200050 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Vapor-phase Epitaxy
Growth
Structural and photoelectric studies on double barrier quantum well infrared detectors
会议论文
1997 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS, HONG KONG, HONG KONG, 35672
作者:
Wu WG
;
Jiang DS
;
Cui LQ
;
Song CY
;
Zhuang Y
;
Wu WG Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15