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中国科学院半导体研究所机构知识库
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中国科学院半导体研究... [6]
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会议论文 [6]
发表日期
2006 [6]
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文献类型:会议论文
发表日期:2006
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Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:
Sun, GS (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Gong, QC (Gong, Quancheng)
;
Gao, X (Gao, Xin)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Liu, XF (Liu, Xingfang)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Homoepitaxial Growth
Low-pressure Hot-wall Cvd
Structural And Optical Characteristics
Intentional Doping
Schottky Barrier Diodes
Hydrogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells
会议论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, Lisbon, PORTUGAL, SEP 04-09, 2005
作者:
Hu ZH (Hu Zhihua)
;
Liao XB (Liao Xianbo)
;
Diao HW (Diao Hongwei)
;
Cai Y (Cai Yi)
;
Zhang SB (Zhang Shibin)
;
Fortunato E (Fortunato Elvira)
;
Martins R (Martins Rodrigo)
;
Hu, ZH, New Univ Lisbon, Dept Mat Sci, P-2829516 Caparica, Portugal. 电子邮箱地址: zhu@uninova.pt
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提交时间:2010/03/29
Silicon
The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Ran, JX
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Ran, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Aln
Impurities
Donor
Electroabsorption modulated semiconductor optical amplifier monolithically integrated with spot-size converters
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Singapore, SINGAPORE, JUL 03-08, 2005
作者:
Hou LP
;
Zhu HL
;
Zhou F
;
Wang BJ
;
Bian J
;
Wang W
;
Hou, LP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: houlp@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Asymmetric Twin Waveguide
High-performance EML grown on taper-masked pattern substrates by ultra-low-pressure MOCVD
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Singapore, SINGAPORE, JUL 03-08, 2005
作者:
Zhao, Q
;
Pan, JQ
;
Zhang, J
;
Zhu, HL
;
Wang, W
;
Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Selective Area Growth
Direct Wafer Bonding Technology employing vacuum-cavity pre-bonding
会议论文
Optoeletronic Materials and Devices丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Gwangju, SOUTH KOREA, SEP 05-07, 2006
作者:
Yang GH (Yang Guohua)
;
He GR (He Guorong)
;
Zheng WH (Zheng Wanhua)
;
Chen LH (Chen Lianghui)
;
Yang, GH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29