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锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236705.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李彦波;  张杨;  曾一平
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Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  杨翠柏;  李晋闽
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一种基于氧化物掺杂有机材料的有机太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010504161.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  曹国华;  关敏;  李林森;  曾一平
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p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张小宾;  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  冉军学;  王翠梅;  李晋闽
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采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010141024.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓峰;  段垚;  刘祯;  曾一平
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氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  王晓亮;  毕杨;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
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大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102324436A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  张雨溦;  张杨;  曾一平
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基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102376874A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  张杨;  曾一平
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