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Annealing ambient controlled deep defect formation in InP 会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:  Zhao YW;  Dong ZY;  Duan ML;  Sun WR;  Zeng YP;  Sun NF;  Sun TN;  Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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Fe-doped Inp  Semiinsulating Inp  Point-defects  Pressure  Wafers  Traps  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu, LW;  Sou, IK;  Ge, WK;  Lu, LW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lwlu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ramsteiner M;  Jiang DS;  Harris JS;  Ploog KH;  Ramsteiner, M, Paul Drude Inst Festkorperelekt, Hausvogteipl 5-7, D-10117 Berlin, Germany. 电子邮箱地址: mer@pdi-berlin.de
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