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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  赵勇兵
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Algan/gan Hfet  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao Xiaolong;  Zhang Mo;  Li Xian;  Shi Ce;  Song Changbin;  Liu Ying
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ning Zhang;  Xue-Cheng Wei;  Kun-Yi Lu;  Liang-Sen Feng;  Jie Yang;  Bin Xue;  Zhe Liu;  Jin-Min Li and Jun-Xi Wang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yanan Liang;  Lifang Jia;  Zhi He;  Zhongchao Fan;  Yun Zhang;  Fuhua Yang
Adobe PDF(851Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：274/1  |  提交时间：2017/03/16