中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
The growth and characterization of GaN grown on a gamma-Al2O3/(001) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:  Wang LS;  Liu XL;  Zan YD;  Wang D;  Lu DC;  Wang ZG;  Wang LS Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
收藏  |  浏览/下载：898/0  |  提交时间：2010/10/29
Sapphire  
Observation of defects in GaN epilayers 会议论文
DEFECT RECOGNITION AND IMAGE PROCESSING IN SEMICONDUCTORS 1997, 160, TEMPLIN, GERMANY, SEP 07-10, 1997
作者:  Kang JY;  Liu XL;  Ogawa T;  Kang JY Gakushuin Univ Dept Phys Tokyo 171 Japan.
Adobe PDF(235Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1267/215  |  提交时间：2010/11/15
Scattering  Sapphire  Growth