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4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  田丽欣
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VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  曹可慰
Adobe PDF(3546Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1119/23  |  提交时间：2015/12/08
锗  单晶  垂直梯度凝固  多结电池  热施主