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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Dong ZY;  Duan ML;  Sun WR;  Yang ZX;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu JH (Gu Jinhua);  Zhu MF (Zhu Meifang);  Wang LJ (Wang Liujiu);  Liu FZ (Liu Fengzhen);  Zhou BQ (Zhou Bingqing);  Ding K (Ding Kun);  Li GH (Li Guohua);  Zhu, MF, Chinese Acad Sci, Grad Sch, Coll Phys Sci, POB 4588, Beijing 100049, Peoples R China. E-mail: mfzhu@gucas.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L (Zhao L.);  Tu XG (Tu X. G.);  Zuo YH (Zuo Y. H.);  Chen SW (Chen S. W.);  Wang QM (Wang Q. M.);  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Elect Engn, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhaolei@mail.iee.ac.cn
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The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S 会议论文
ICO20 Materials and Nanostructures丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Li J;  An JM;  Wang HJ;  Xia JL;  Gao DS;  Hu XW;  Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Porous Silicon  
Silicon thin films prepared in the transition region and their use in solar cells 会议论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, Bangkok, THAILAND, JAN 27-FEB 01, 2004
作者:  Zhang S;  Liao X;  Raniero L;  Fortunato E;  Xu Y;  Kong G;  Aguas H;  Ferreira I;  Martins R;  Zhang, S, New Univ Lisbon, Fac Sci & Technol, CENIMAT, Dept Mat Sci, P-2829516 Caparica, Portugal. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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Silicon  
High quality microcrystalline Si films by hydrogen dilution profile 会议论文
THIN SOLID FILMS, BRATISLAVA, SLOVAKIA, SEP 15-20, 2002
作者:  Gu, JH (Gu, Jinhua);  Zhu, MF (Zhu, Meifang);  Wang, LJ (Wang, Liujiu);  Liu, FZ (Liu, Fengzhen);  Zhou, BQ (Zhou, Bingqing);  Ding, K (Ding, Kun);  Li, GH (Li, Guohua);  Zhu, MF, Chinese Acad Sci, Grad Sch, Coll Phys Sci, POB 4588, Beijing 100049, Peoples R China. 电子邮箱地址: mfzhu@gucas.ac.cn
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Microcrystalline Si Thin Film  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, XF (Zhu, Xianfang);  Wang, ZG (Wang, Zhanguo);  Zhu, XF, Univ Illinois, Mat Res Lab, Urbana, IL 61801 USA. 电子邮箱地址: zhux@xmu.edu.cn;  zgwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang S (Zhang S.);  Liao X (Liao X.);  Raniero L (Raniero L.);  Fortunato E (Fortunato E.);  Xu Y (Xu Y.);  Kong G (Kong G.);  Aguas H (Aguas H.);  Ferreira I (Ferreira I.);  Martins R (Martins R.);  Zhang, S, New Univ Lisbon, Fac Sci & Technol, CENIMAT, Dept Mat Sci, P-2829516 Caparica, Portugal. E-mail: sz@uninova.pt
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gan Y (Gan Yu);  Xiang WH (Xiang Wang-Hua);  Zhou XF (Zhou Xiao-Fang);  Zhang GZ (Zhang Gui-Zhong);  Zhang B (Zhang Bing);  Wang YG (Wang Yong-Gang);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Gan, Y, Tianjin Univ, Key Lab Optoelect Informat & Tech Sci, Minist Educ, Tianjin 300072, Peoples R China. E-mail: rainmangy@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XR (Yang X. R.);  Xu B (Xu B.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jin P (Jin P.);  Liang P (Liang P.);  Hu Y (Hu Y.);  Sun H (Sun H.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Liu FL (Liu F. L.);  Yang, XR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yangxr@mail.semi.ac.cn
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