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GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  梁凌燕;  叶小玲;  徐波;  陈涌海;  王占国
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具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hua, L;  Song, GF;  Guo, BS;  Wang, WM;  Zhang, Y;  Hua, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: SGF@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma WQ;  Yang XJ;  Chong M;  Yang T;  Chen LH;  Shao J;  Lu X;  Lu W;  Song CY;  Uo HC;  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqma@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, D;  Wang, H;  Wu, B;  Ni, H;  Huang, S;  Xiong, Y;  Wang, P;  Han, Q;  Niu, Z;  Tangring, I;  Wang, SM;  Wu, D, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XW;  Xu, Q;  Fan, WJ;  Luo, JW;  Li, SS;  Xia, JB;  Zhang, XW, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: zhxw99@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang S;  Zhu HL;  Pan JQ;  Zhao LJ;  Wang LF;  Zhou F;  Shu HY;  Bian J;  An X;  Wang W;  Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, Q;  Li, JB;  Li, SS;  Xia, JB;  Xu, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, JY;  Tan, HM;  Wang, YG;  Ma, XY;  Miao, JG;  Wang, BS;  Qian, LS;  Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chinawygxjw@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, X;  Yamada, T;  Otomo, A;  Xu, X, Natl Inst Informat & Commun Technol, Kobe Adv Res Ctr, Nishi Ku, 588-2 Iwaoka, Kobe, Hyogo 6512492, Japan. 电子邮箱地址: xsxu@red.semi.ac.cn
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