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4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  田丽欣
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VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  曹可慰
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锗  单晶  垂直梯度凝固  多结电池  热施主  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan X;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Feng C;  Jiang LJ;  Yin HB;  Chen H;  Pan, X (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, xpan@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi Y;  Wang XL;  Yang CB;  Xiao HL;  Wang CM;  Peng EC;  Lin DF;  Feng C;  Jiang LJ;  Bi, Y (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. ybi@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng QW;  Wang XL;  Yang CB;  Xiao HL;  Wang CM;  Yin HB;  Hou QF;  Bi Y;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X;  Deng, QW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. daven@semi.ac.cn
Adobe PDF(1060Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2207/481  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin DF;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Jiang LJ;  Feng C;  Chen H;  Hou QF;  Deng QW;  Bi Y;  Kang H;  Lin, DF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. dflin@semi.ac.cn
Adobe PDF(1294Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1594/389  |  提交时间：2011/09/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li H;  Zhou K;  Pang JB;  Shao YD;  Wang Z;  Zhao YW;  Li, H, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. wangz@whu.edu.cn
Adobe PDF(616Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1926/454  |  提交时间：2011/07/05