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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [9]
作者
文献类型
会议论文 [9]
发表日期
2004 [1]
2002 [1]
2000 [2]
1999 [2]
1998 [3]
语种
英语 [9]
出处
REVISTA ME... [2]
INTEGRATED... [1]
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Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Chen WD
;
Song SF
;
Zhu JJ
;
Wang XL
;
Chen CY
;
Hsu CC
;
Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Doping
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Compounds
Semiconducting Gallium Compounds
Erbium
Correlation between Er3+ emission and the microstructure of a-SiOx : H < Er > films
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Chen CY
;
Chen WD
;
Song SF
;
Hsu CC
;
Chen CY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1127/182
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提交时间:2010/11/15
Hydrogenated Amorphous-silicon
Photoluminescence
Luminescence
Intensity
System
SiGe/Si quantum well resonant-cavity-enhanced photodetector
会议论文
TERAHERTZ AND GIGAHERTZ ELECTRONICS AND PHOTONICS II, 4111, SAN DIEGO, CA, JUL 31-AUG 02, 2000
作者:
Li C
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Zhu JL
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li C Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1747/274
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提交时间:2010/10/29
Rce Photodetector
Sige/si
Simox
Bragg Reflector
Si-based resonant-cavity-enhanced photodetector
会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:
Wang QM
;
Li C
;
Cheng BW
;
Yang QQ
;
Wang QM Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1524/208
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提交时间:2010/11/15
Rce Photodetector
Sige/si
Simox
Bragg Reflector
Top-illumination
Bottom-illumination
Responsivity Spectra
Preparation and characterization of erbium doped sol-gel silica glasses
会议论文
RARE-EARTH-DOPED MATERIALS AND DEVICES III, 3622, SAN JOSE, CA, JAN 27-28, 1999
作者:
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Chen BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Xie DT
;
Wu JG
;
Xu DF
;
Xu GX
;
Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Er-doped Silica Glass
Sol-gel Process
Photoluminescence
Planar Wave-guides
Molecular-beam Epitaxy
Crystal Silicon
Implanted Si
Luminescence
Electroluminescence
Fabrication
Impurities
Films
Ions
The influence of oxygen content on photoluminescence from Er-doped SiOx
会议论文
LUMINESCENT MATERIALS, 560, SAN FRANCISCO, CA, APR 05-08, 1999
作者:
Chen WD
;
Liang JJ
;
Hsu CC
;
Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:837/0
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提交时间:2010/10/29
Photoluminescence measurements on erbium-doped silicon
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Wang QM
;
Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(310Kb)
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浏览/下载:1265/233
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提交时间:2010/10/29
Erbium-doped Silicon
Photoluminescence
Energy Transfer
Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of Si1-xGex/Si superlattice materials
会议论文
REVISTA MEXICANA DE FISICA, 44, OAXACA, MEXICO, JAN 11-16, 1998
作者:
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
;
Zou LF Ctr Invest Opt AC Unidad Aguascalientes Juan Montoro 207Zona Ctr Aguascalientes 20000 Ags Mexico. 电子邮箱地址: lfzou@ags.ciateq.mx
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提交时间:2010/11/15
Strain Relaxation
Heterostructures
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
会议论文
REVISTA MEXICANA DE FISICA, 44, OAXACA, MEXICO, JAN 11-16, 1998
作者:
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
;
Zou LF Ctr Invest Opt AC Unidad Aguascalientes Juan Montoro 207Zona Ctr Aguascalientes 20000 Ags Mexico.
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提交时间:2010/11/15
Electrical-properties
Ion-implantation
Regrowth
Silicon
Layers