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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
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利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李凯;  叶小玲;  王占国
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一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Su FH (Su Fu Hai);  Wang WJ (Wang Wen Jie);  Ding K (Ding Kun);  Li GH (Li Guo Hua);  Liu YF (Liu Yuangfang);  Joly AG (Joly Alan G.);  Chen W (Chen Wei);  Chen, W, Univ Texas, Dept Phys, POB 19059, Arlington, TX 76019 USA. E-mail: weichen@uta.edu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu JH (Gu Jinhua);  Zhu MF (Zhu Meifang);  Wang LJ (Wang Liujiu);  Liu FZ (Liu Fengzhen);  Zhou BQ (Zhou Bingqing);  Ding K (Ding Kun);  Li GH (Li Guohua);  Zhu, MF, Chinese Acad Sci, Grad Sch, Coll Phys Sci, POB 4588, Beijing 100049, Peoples R China. E-mail: mfzhu@gucas.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Min C (Cui Min);  Zhang WJ (Zhang Weija);  Wang TM (Wang Tianmin);  Jin F (Jin Fei);  Li GH (Li Guohua);  Ding K (Ding Kun);  Min, C, Beihang Univ, Sch Sci, Ctr Condensed Phys & Mat Phys, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xinzhu_hust@126.com;  weijia_zhang@sina.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG (Wang Yonggang);  Ma XY (Ma Xiaoyu);  Wang CL (Wang Cuiluan);  Lin T (Lin Tao);  Zhen K (Zhen Kai);  Wang J (Wang Jun);  Zhong L (Zhong Li);  Jia YL (Jia YuLei);  Wei ZY (Wei ZhiYi);  Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chinawygxjw@163.com
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