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| 基于激光退火的 InGaN 基绿光 LED 效率提升研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 王新维
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| SiC深能级缺陷与硅上 In线光致相变的第一性原理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 顾宇翔
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 赵捷
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| 二维层状半导体材料的超快与非线性光谱研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 李莹
Adobe PDF(5678Kb) | 收藏 | 浏览/下载：443/3 | 提交时间：2020/08/31 |
| InAs单晶位错和杂质条纹的识别及相关材料性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 孙静
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 吴卓辉
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| InAs单晶原生缺陷、Mn掺杂及相关光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 沈桂英
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Inas单晶 热退火 离子注入 缺陷复合体 杂质带电导 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 綦成林
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| 宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘雅丽
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Algan/algan 量子阱 Gan/aln量子点 半导体金刚石 深紫外光致发光 激子-声子作用 激子局域化 |
