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| p-GaN增强型HEMT栅极新结构的研究 学位论文
电子信息硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 杨军
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| ZnO基MEMS NO2 气体传感器的制备及性能优化研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 卢晓锐
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| 硅纳米线晶体管量子输运特性及其传感器应用研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 郭仰岩
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| 基于等离子体波的室温场效应晶体管微波太赫兹探测器 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 黄镇
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| 硅纳米线晶体管量子输运特性及其传感器应用研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 郭仰岩
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| 集成天线的氮化镓基高电子迁移率晶体管太赫兹波探测器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 张博文
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| 可级联椭圆结构AlN BAW谐振器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 杨帆
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 熊莹; 张仁平; 杨富华
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| SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华
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