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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang JY; Wang XF; Wang XD; Fan ZC; Li Y; Ji A; Yang FH; Wang, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jyzhang08@semi.ac.cn; wangxiaofeng@semi.ac.cn; fhyang@red.semi.ac.cn Adobe PDF(659Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1520/464  |  提交时间:2010/04/05 |
| 一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张杨; 刘剑; 李艳; 杨富华 Adobe PDF(539Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1230/213  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhou W; Yang JL; Li Y; Ji A; Yang FH; Yu YD; Yang JL Chinese Acad Sci Inst Semicond Qinghua Donglu A 35 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jlyang@semi.ac.cn Adobe PDF(646Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1400/494  |  提交时间:2010/03/08 |
| 采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081983.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 唐龙娟; 杨晋玲; 解婧; 李艳; 杨富华 Adobe PDF(415Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1921/287  |  提交时间:2011/08/31 |
| 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李艳; 杨富华; 裴为华 Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1831/278  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081224.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李艳; 杨富华; 唐龙娟; 朱银芳 Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1771/262  |  提交时间:2011/08/31 |