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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [4]
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会议论文 [4]
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2002 [1]
2001 [2]
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英语 [4]
出处
APOC 2001:... [1]
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JOURNAL OF... [1]
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Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Cheng BW
;
Zhang JG
;
Zuo YH
;
Mao RW
;
Huang CJ
;
Luo LP
;
Yao F
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Si-ge Alloys
Growth
Layers
16-channel 0.35 mu m CMOS/VCSEL optoelectronic devices
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Chen HD
;
Mao LH
;
Jun T
;
Kun L
;
Yun D
;
Huang YZ
;
Wu RH
;
Jun F
;
Ke XM
;
Liu HY
;
Wang Z
;
Chen HD Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(418Kb)
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浏览/下载:1766/269
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提交时间:2010/10/29
Vcsel
Cmos
Mcm
Optoelectronic Integration
Smart Pixels
Optical Interconnects
Surface-emitting Lasers
Vlsi
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Annealing
Molecular Beam Epitaxy
Germanium Silicon Alloys
Semiconducting Materials
Strain Relaxation
Desorption and Ripening of Low Density InAs Quantum Dots
会议论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, JUN 04-06, 2007
作者:
Zhan, F
;
Huang, SS
;
Niu, ZC
;
Ni, HQ
;
Xiong, YH
;
Fang, ZD
;
Zhou, HY
;
Luo, Y
;
Huang, SS, Tsinghua Univ, Dept Elect Engn, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100084, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Quantum Dots