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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li MC;  Qiu YX;  Liu GJ;  Wang YT;  Zhang BS;  Zhao LC;  Li MC Harbin Inst Technol Sch Mat Sci & Engn POB 405 Harbin 150001 Peoples R China. E-mail Address: mcli@hit.edu.cn
Adobe PDF(212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1177/419  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qiu, YX;  Li, MC;  Wang, YT;  Zhang, BS;  Wang, Y;  Liu, GJ;  Zhao, LC;  Qiu, YX, Harbin Inst Technol, Sch Mat Sci & Engn, Harbin 150001, Peoples R China. 电子邮箱地址: mcli@hit.edu.cn
Adobe PDF(186Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：910/250  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin G;  Sun, GS;  Li JM;  Zhang YX;  Lei W;  Zhao WS;  Zeng YP;  Xin, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gaoxin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bian SB;  Li GR;  Yan T;  Bing H;  Li YX;  Yang FH;  Zheng HZ;  Bian, SB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(139Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：881/273  |  提交时间：2010/03/09
Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Sun, GS;  Ning, J;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(201Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1395/208  |  提交时间：2010/03/29
4h-sic  Lpcvd Homoepitaxial Growth  Thermal Oxidization  Mos Structures  Hot-wall Cvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, GS;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：919/289  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei WS;  Wang TM;  Zhang CX;  Li GH;  Li YX;  Wei WS,Beijing Univ Aeronaut & Astronaut,Sch Sci,Ctr Mat Phys & Chem,Sch Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(313Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1027/130  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bian SB;  Tang Y;  Li GR;  Li YX;  Yang FH;  Zheng HZ;  Zeng YP;  Bian SB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：965/304  |  提交时间：2010/08/12
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Gao F;  Lin YX;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
Adobe PDF(96Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1764/419  |  提交时间：2010/11/15
Annealing  Molecular Beam Epitaxy  Germanium Silicon Alloys  Semiconducting Materials  Strain Relaxation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang Y;  Zheng HZ;  Yang FH;  Tan PH;  Li YX;  Tang Y,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(136Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：931/267  |  提交时间：2010/08/12